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DTM67209A

1GB – 200-Pin 1Rx8 Unbuffered Non-ECC DDR2 SO-DIMM

Features Description

200-pin JEDEC SO-DIMM Dual-sided assembly 67.600mm

[2.661”] wide by 30.0mm [1.181”] high

Operating Voltage: 1.8 V ±0.1

I/O Type: SSTL_18

Data Transfer Rate: 4.2 Gigabytes/sec

Bursts Length: 4 and 8.

Programmable I/O driver strength (OCD)

Programmable On-Die Termination (ODT)

Differential/Redundant Data Strobe signals

SDRAM Addressing (Row/Col/Bank): 14/10/3

One Physical Rank

Fully RoHS Compliant

The Dataram DTM67209A assembly is a

128Mx64bit Unbuffered Non-ECC memory module,

which conforms to JEDEC's DDR2, PC2-4200 stan-

dard. The DTM67209A assembly consists of one

rank comprised of eight 128Mx8 Hynix DDR2

SDRAMs in a 60 Ball FBGA package.

A 2Kbit EEPROM for serial presence detect pro-

vides critical timing and configuration information

used by the system to identify and configure the

memory.

The assembly is a Small Outline Dual In-line Mem-

ory Module intended for mounting into 200-pin edge

connector sockets.

Pin Configurations Pin Names

Front side Back side Pin name Function

REF

DQS2

101 A1 151 DQ42 2 V

52 DM2 102 A0 152 DQ46

/RAS Row address strobe

103 V

153 DQ43 4 DQ4 54 V

104 V

154 DQ47

/CAS Column address strobe

DQ0

DQ18

105 A10/AP 155 V

6 DQ5 56 DQ22 106 BA1 156 V

/WE Write enable

DQ1

DQ19

107 BA0 157 DQ48 8 V

58 DQ23 108 /RAS 158 DQ52

/S[1:0] Chip select input

109 /WE 159 DQ49 10 DM0 60 V

110 /S0 160 DQ53

CK[1:0], /CK[1:0] Differential Clock inputs

/DQS0

DQ24

111 V

161 V

12 V

62 DQ28 112 V

162 V

CKE[1:0] Clock enable input

DQS0

DQ25

113 /CAS 163 NC 14 DQ6 64 DQ29 114 ODT 164 CK1

BA[2:0] Bank select input

115 /S1* 165 V

16 DQ7 66 V

116 A13 166 /CK1

A[13:0] Address input (Multiplexed)

DQ2

DM3

117 V

167 /DQS6 18 V

68 DQS3 118 V

168 V

ODT[1:0] On Die Termination

DQ3

119 ODT1* 169 DQS6 20 DQ12 70 DQS3 120 NC 170 DM6

DQS[7:0], /DQS[7:0] Data strobes

21 V

71 V

121 V

171 V

22 DQ13 72 V

122 V

172 V

DM[7:0] Data masks

23 DQ8 73 DQ26 123 DQ32 173 DQ50 24 V

74 DQ30 124 DQ36 174 DQ54 DQ[63:0] Data I/Os: Data bus

DQ9

DQ27

125 DQ33 175 DQ51 26 DM1 76 DQ31 126 DQ37 176 DQ55

SCL Serial clock

VSS

127 V

177 V

28 V

78 V

128 V

178 V

SDA Serial data I/O

29 /DQS1 79 CKE0 129 /DQS4 179 DQ56 30 CK0 80 CKE1* 130 DM4 180 DQ60 SA[1:0] Address EEPROM

31 DQS1 81 V

131 DQS4 181 DQ57 32 /CK0 82 V

132 V

182 DQ61 /Event Temperature sensing

33 V

83 NC 133 V

183 V

34 V

84 N C 134 DQ38 184 V

VREF Reference voltage.

35 DQ10 85 NC 135 DQ34 185 DM7 36 DQ14 86 N C 136 DQ39 186 /DQS7 VDD Power supply: 1.8V +/- 0.1V

37 DQ11 87 V

137 DQ35 187 V

38 DQ15 88 V

138 V

188 DQS7 VSS Ground

39 V

89 A12 139 V

189 DQ58 40 V

90 A11 140 DQ44 190 V

VDDSPD Serial EEPROM power supply

41 V

91 A9 141 DQ40 191 DQ59 42 V

92 A7 142 DQ45 192 DQ62 NC No connects

43 DQ16 93 A8 143 DQ41 193 V

44 DQ20 94 A6 144 V

194 DQ63

45 DQ17 95 V

145 V

195 SDA 46 DQ21 96 V

146 /DQS5 196 V

47 V

97 A5 147 DM5 197 SCL 48 V

98 A4 148 DQS5 198 SA0

49 /DQS2 99 A3 149 V

199 V

SPD 50 /Event* 100 A2 150 V

200 SA1

* = not used on the DTM67209A

Identification

DTM67209A 128Mx64

Performance range

Clock/ Module Speed/ CL-t

RCD

-t

266 MHz / DDR2-533 / 5-4-4

266 MHz / DDR2-533 / 4-4-4

200 MHz / DDR2-400 / 3-3-3

1 2 3 4 5 6 ... 12 13

DTM67209A 1

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