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Dataram DTM64370A Datenblatt

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DTM64370A
4GB - 240-Pin 2Rx8 Registered ECC DDR3 DIMM
Document
06214
, Revision A, 05-Jul-11, Dataram Corporation
2011 Page 1
Features
Description
240-pin JEDEC-compliant DIMM, 133.35 mm wide by 30 mm high
Operating Voltage: 1.5V ± 0.075
I/O Type: SSTL_15
On-board I2C temperature sensor with integrated serial presence-detect
(SPD) EEPROM
Data Transfer Rate: 12.8 Gigabytes/sec
Data Bursts: 8 and burst chop 4 mode
ZQ Calibration for Output Driver and On-Die Termination (ODT)
Programmable ODT / Dynamic ODT during Writes
Programmable CAS Latency: 6, 7, 8, 9, 10 and 11
Bi-Directional Differential Data Strobe signals
SDRAM Addressing (Row/Col/Bank): 15/10/3
DTM64370A is a registered 512Mx72 memory
module, which conforms to JEDEC's DDR3, PC3-
12800 standard. The assembly is Dual-Rank.
Each Rank is comprised of nine 256Mx8 DDR3
Samsung SDRAMs. One 2K-bit EEPROM is used
for Serial Presence Detect and a combination
register/PLL, with Address and Command Parity,
is also used.
Both output driver strength and input termination
impedance are programmable to maintain signal
integrity on the I/O signals in a Fly-by topology.
A thermal sensor accurately monitors the DIMM
module and can prevent exceeding the maximum
operating temperature of 95C.
Fully RoHS Compliant
Pin Configuration
Pin Description
Front Side Back Side
Name Function
1 V
REFDQ
31
DQ25 61
A2 91 DQ41
121
V
SS
151
V
SS
181
A1 211
V
SS
CB[7:0] Data Check Bits
2 V
SS
32
V
SS
62
V
DD
92 V
SS
122
DQ4 152
DM3 182
V
DD
212
DM5
DQ[63:0] Data Bits
3 DQ0 33
/DQS3 63
CK1* 93 /DQS5 123
DQ5 153
NC 183
V
DD
213
NC
DQS[8:0], /DQS[8:0]
Differential Data Strobes
4 DQ1 34
DQS3 64
/CK1* 94 DQS5
124
V
SS
154
V
SS
184
CK0 214
V
SS
DM[8:0] Data Mask
5 V
SS
35
V
SS
65
V
DD
95 V
SS
125
DM0 155
DQ30 185
/CK0 215
DQ46
/TDQS[17:9] Termination strobes
6 /DQS0
36
DQ26 66
V
DD
96 DQ42
126
NC 156
DQ31 186
V
DD
216
DQ47
CK[1:0], /CK[1:0] Differential Clock Inputs
7 DQS0
37
DQ27 67
V
REFCA
97 DQ43
127
V
SS
157
V
SS
187
/Event 217
V
SS
CKE[1:0] Clock Enables
8 V
SS
38
V
SS
68
P
AR
_I
N
98 V
SS
128
DQ6 158
CB4 188
A0 218
DQ52
/CAS Column Address Strobe
9 DQ2 39
CB0 69
VDD 99 DQ48
129
DQ7 159
CB5 189
V
DD
219
DQ53
/RAS Row Address Strobe
10
DQ3 40
CB1 70
A10/AP 100
DQ49
130
V
SS
160
V
SS
190
BA1 220
V
SS
/S[3:0] Chip Selects
11
V
SS
41
V
SS
71
BA0 101
V
SS
131
DQ12
161
DM8 191
V
DD
221
DM6
/WE Write Enable
12
DQ8 42
/DQS8 72
V
DD
102
/DQS6 132
DQ13
162
NC 192
/RAS 222
NC
A[15:0] Address Inputs
13
DQ9 43
DQS8 73
/WE 103
DQS6
133
V
SS
163
V
SS
193
/S0 223
V
SS
BA[2:0] Bank Addresses
14
V
SS
44
V
SS
74
/CAS 104
V
SS
134
DM1 164
CB6 194
V
DD
224
DQ54
ODT[1:0] On Die Termination Inputs
15
/DQS1
45
CB2 75
V
DD
105
DQ50
135
NC 165
CB7 195
ODT0 225
DQ55
SA[2:0] SPD Address
16
DQS1
46
CB3 76
/S1 106
DQ51
136
V
SS
166
V
SS
196
A13 226
V
SS
SCL SPD Clock Input
17
V
SS
47
V
SS
77
ODT1 107
V
SS
137
DQ14
167
NC (TEST)
197
V
DD
227
DQ60
SDA SPD Data Input/Output
18
DQ10
48
V
TT
78
V
DD
108
DQ56
138
DQ15
168
/RESET 198
/S3, NC* 228
DQ61
/EVENT Temperature Sensing
19
DQ11
49
V
TT
79
/S2, NC* 109
DQ57
139
V
SS
169
CKE1 199
V
SS
229
V
SS
/RESET Reset for register and DRAMs
20
V
SS
50
CKE0 80
V
SS
110
V
SS
140
DQ20
170
V
DD
200
DQ36 230
DM7
PAR_IN Parity bit for Addr/Ctrl
21
DQ16
51
V
DD
81
DQ32 111
/DQS7 141
DQ21
171
A15 201
DQ37 231
NC
/ERR_OUT Error bit for Parity Error
22
DQ17
52
BA2 82
DQ33 112
DQS7
142
V
SS
172
A14 202
V
SS
232
V
SS
A12/BC Combination input: Addr12/Burst Chop
23
V
SS
53
/E
RR
_O
UT
83
V
SS
113
V
SS
143
DM2 173
V
DD
203
DM4 233
DQ62
A10/AP Combination input: Addr10/Auto-precharge
24
/DQS2
54
V
DD
84
/DQS4 114
DQ58
144
NC 174
A12/BC 204
NC 234
DQ63
V
SS
Ground
25
DQS2
55
A11 85
DQS4 115
DQ59
145
V
SS
175
A9 205
V
SS
235
V
SS
V
DD
Power
26
V
SS
56
A7 86
V
SS
116
V
SS
146
DQ22
176
V
DD
206
DQ38 236
V
DDSPD
V
DDSPD
SPD EEPROM Power
27
DQ18
57
V
DD
87
DQ34 117
SA0 147
DQ23
177
A8 207
DQ39 237
SA1
V
REFDQ
Reference Voltage for DQ’s
28
DQ19
58
A5 88
DQ35 118
SCL 148
V
SS
178
A6 208
V
SS
238
SDA
V
REFCA
Reference Voltage for CA
29
V
SS
59
A4 89
V
SS
119
SA2 149
DQ28
179
V
DD
209
DQ44 239
V
SS
V
TT
Termination Voltage
30
DQ24
60
V
DD
90
DQ40 120
V
T
150
DQ29
180
A3 210
DQ45 240
V
TT
NC No Connection
*Not used
Identification
DTM64370A 512MX72
4GB 2Rx8 PC3-12800R-11-11-B1
Performance range
Clock / Module Speed / CL-t
RCD
-t
RP
800 MHz / PC3-12800 / 11-11-11
667 MHz / PC3-10600 / 10-10-10
667 MHz / PC3-10600 / 9-9-9
533 MHz / PC3-8500 / 8-8-8
533 MHz / PC3-8500 / 7-7-7
400 MHz / PC3-6400 / 6-6-6
Seitenansicht 0
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Seite 1 - DTM64370A

DTM64370A 4GB - 240-Pin 2Rx8 Registered ECC DDR3 DIMM Document 06214, Revision A, 05-Jul-11, Dataram Corporation  2011 Page 1 Features

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DTM64370A 4GB - 240-Pin 2Rx8 Registered ECC DDR3 DIMM Document 06214, Revision A, 05-Jul-11, Dataram Corporation  2011 Page 10 34 Fine Offs

Seite 3

DTM64370A 4GB - 240-Pin 2Rx8 Registered ECC DDR3 DIMM Document 06214, Revision A, 05-Jul-11, Dataram Corporation  2011 Page 11 139 Module P

Seite 4

DTM64370A 4GB - 240-Pin 2Rx8 Registered ECC DDR3 DIMM Document 06214, Revision A, 05-Jul-11, Dataram Corporation  2011 Page 12 DATARA

Seite 5

DTM64370A 4GB - 240-Pin 2Rx8 Registered ECC DDR3 DIMM Document 06214, Revision A, 05-Jul-11, Dataram Corporation  2011 Page 2 30.00[1.181]4

Seite 6

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Seite 8

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Seite 9

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Seite 10

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Seite 11

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Seite 12

DTM64370A 4GB - 240-Pin 2Rx8 Registered ECC DDR3 DIMM Document 06214, Revision A, 05-Jul-11, Dataram Corporation  2011 Page 9 Bit 0. CL = 1

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