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Dataram DTM64314D Datenblatt

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DTM64314D
4 GB - 240-Pin 2Rx8 Unbuffered ECC DDR3 DIMM
Document 06931, Revision A, 3-Oct-11, Dataram Corporation
2011 Page 1
Features
Description
240-pin JEDEC-compliant DIMM, 133.35 mm wide by 30 mm high
Operating Voltage: 1.5 V ±0.075 V, I/O Type: SSTL_15
On-board I
2
C temperature sensor with integrated Serial Presence-
Detect (SPD) EEPROM
Data Transfer Rate: 10.6 Gigabytes/sec
Data Bursts: 8 and burst chop 4 mode
ZQ Calibration for Output Driver and On-Die Termination (ODT)
Programmable ODT / Dynamic ODT during Writes
Programmable CAS Latency: 6, 7, 8, and 9
Differential Data Strobe signals
SDRAM Addressing (Row/Col/Bank): 15/10/3
DTM64314D is an Unbuffered 512Mx72
memory module, which conforms to
JEDEC's DDR3, PC3-10600 standard. The
assembly is Dual-Rank. Each Rank is
comprised of nine 256Mx8 DDR3-1333
Hynix SDRAMs. One 2K-bit EEPROM is
used for Serial Presence Detect.
A thermal sensor accurately monitors the
DIMM module and can prevent exceeding
the maximum operating temperature of 95C.
Both output driver strength and input
termination impedance are programmable to
maintain signal integrity on the I/O signals.
Fully RoHS Compliant
Pin Configuration
Pin Description
Front Side Back Side
Name Function
1 V
REFDQ
31
DQ25 61
A2 91 DQ41
121
V
SS
151
V
SS
181
A1 211
V
SS
CB[7:0] Data Check Bits
2 V
SS
32
V
SS
62
V
DD
92 V
SS
122
DQ4 152
DM3 182
V
DD
212
DM5
DQ[63:0] Data Bits
3 DQ0 33
/DQS3 63
CK1 93 /DQS5 123
DQ5 153
NC 183
V
DD
213
NC
DQS[8:0], /DQS[8:0]
Differential Data Strobes
4 DQ1 34
DQS3 64
/CK1 94 DQS5
124
V
SS
154
V
SS
184
CK0 214
V
SS
DM[8:0] Data Mask
5 V
SS
35
V
SS
65
V
DD
95 V
SS
125
DM0 155
DQ30 185
/CK0 215
DQ46
CK[1:0], /CK[1:0] Differential Clock Inputs
6 /DQS0
36
DQ26 66
V
DD
96 DQ42
126
NC 156
DQ31 186
V
DD
216
DQ47
CKE[1:0] Clock Enables
7 DQS0
37
DQ27 67
V
REFCA
97 DQ43
127
V
SS
157
V
SS
187
/Event 217
V
SS
/CAS Column Address Strobe
8 V
SS
38
V
SS
68
P
AR
_I
N
, NC*
98 V
SS
128
DQ6 158
CB4 188
A0 218
DQ52
/RAS Row Address Strobe
9 DQ2 39
CB0 69
VDD 99 DQ48
129
DQ7 159
CB5 189
V
DD
219
DQ53
/S[3:0] Chip Selects
10
DQ3 40
CB1 70
A10/AP 100
DQ49
130
V
SS
160
V
SS
190
BA1 220
V
SS
/WE Write Enable
11
V
SS
41
V
SS
71
BA0 101
V
SS
131
DQ12
161
DM8 191
V
DD
221
DM6
A[15:0] Address Inputs
12
DQ8 42
/DQS8 72
V
DD
102
/DQS6 132
DQ13
162
NC 192
/RAS 222
NC
BA[2:0] Bank Addresses
13
DQ9 43
DQS8 73
/WE 103
DQS6
133
V
SS
163
V
SS
193
/S0 223
V
SS
ODT[1:0] On Die Termination Inputs
14
V
SS
44
V
SS
74
/CAS 104
V
SS
134
DM1 164
CB6 194
V
DD
224
DQ54
SA[2:0] SPD Address
15
/DQS1
45
CB2 75
V
DD
105
DQ50
135
NC 165
CB7 195
ODT0 225
DQ55
SCL SPD Clock Input
16
DQS1
46
CB3 76
/S1 106
DQ51
136
V
SS
166
V
SS
196
A13 226
V
SS
SDA SPD Data Input/Output
17
V
SS
47
V
SS
77
ODT1 107
V
SS
137
DQ14
167
NC (TEST)
197
V
DD
227
DQ60
/EVENT Temperature Sensing
18
DQ10
48
V
TT
, NC 78
V
DD
108
DQ56
138
DQ15
168
/RESET 198
/S3, NC*
228
DQ61
/RESET Reset for register and DRAMs
19
DQ11
49
V
TT
, NC 79
/S2, NC 109
DQ57
139
V
SS
169
CKE1 199
V
SS
229
V
SS
PAR_IN Parity bit for Addr/Ctrl
20
V
SS
50
CKE0 80
V
SS
110
V
SS
140
DQ20
170
V
DD
200
DQ36 230
DM7
/ERR_OUT Error bit for Parity Error
21
DQ16
51
V
DD
81
DQ32 111
/DQS7 141
DQ21
171
A15* 201
DQ37 231
NC
A12/BC Combination input: Addr12/Burst Chop
22
DQ17
52
BA2 82
DQ33 112
DQS7
142
V
SS
172
A14* 202
V
SS
232
V
SS
A10/AP Combination input: Addr10/Auto-precharge
23
V
SS
53
/E
RR
_O
UT
, NC*
83
V
SS
113
V
SS
143
DM2 173
V
DD
203
DM4 233
DQ62
V
SS
Ground
24
/DQS2
54
V
DD
84
/DQS4 114
DQ58
144
NC 174
A12/BC 204
NC 234
DQ63
V
DD
Power
25
DQS2
55
A11 85
DQS4 115
DQ59
145
V
SS
175
A9 205
V
SS
235
V
SS
V
DDSPD
SPD EEPROM Power
26
V
SS
56
A7 86
V
SS
116
V
SS
146
DQ22
176
V
DD
206
DQ38 236
V
DDSPD
V
REFDQ
Reference Voltage for DQ’s
27
DQ18
57
V
DD
87
DQ34 117
SA0 147
DQ23
177
A8 207
DQ39 237
SA1
V
REFCA
Reference Voltage for CA
28
DQ19
58
A5 88
DQ35 118
SCL 148
V
SS
178
A6 208
V
SS
238
SDA
V
TT
Termination Voltage
29
V
SS
59
A4 89
V
SS
119
SA2 149
DQ28
179
V
DD
209
DQ44 239
V
SS
NC No Connection
30
DQ24
60
V
DD
90
DQ40 120
V
TT
150
DQ29
180
A3 210
DQ45 240
V
TT
*
Not used
Identification
DTM64314D 512Mx72
4GB 2Rx8 PC3-10600E-9-11-E1
Performance range
Clock / Module Speed / CL-t
RCD
-t
RP
667 MHz / PC3-10600 / 9-9-9
533 MHz / PC3-8500 / 8-8-8
533 MHz / PC3-8500 / 7-7-7
400 MHz / PC3-6400 / 6-6-6
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Seite 1 - DTM64314D

DTM64314D 4 GB - 240-Pin 2Rx8 Unbuffered ECC DDR3 DIMM Document 06931, Revision A, 3-Oct-11, Dataram Corporation  2011 Page 1 Features Desc

Seite 2

DTM64314D 4 GB - 240-Pin 2Rx8 Unbuffered ECC DDR3 DIMM Document 06931, Revision A, 3-Oct-11, Dataram Corporation  2011 Page 10 Bit 7 ~ Bit 4.

Seite 3

DTM64314D 4 GB - 240-Pin 2Rx8 Unbuffered ECC DDR3 DIMM Document 06931, Revision A, 3-Oct-11, Dataram Corporation  2011 Page 11 119 Module Man

Seite 4

DTM64314D 4 GB - 240-Pin 2Rx8 Unbuffered ECC DDR3 DIMM Document 06931, Revision A, 3-Oct-11, Dataram Corporation  2011 Page 12 DATARAM CO

Seite 5

DTM64314D 4 GB - 240-Pin 2Rx8 Unbuffered ECC DDR3 DIMM Document 06931, Revision A, 3-Oct-11, Dataram Corporation  2011 Page 2 30.00[1.181]47.

Seite 6

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Seite 7

DTM64314D 4 GB - 240-Pin 2Rx8 Unbuffered ECC DDR3 DIMM Document 06931, Revision A, 3-Oct-11, Dataram Corporation  2011 Page 4 Absolute Maxim

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Seite 9

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Seite 10

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Seite 11

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Seite 12

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